Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000
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Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000

Hochgeschwindigkeits-Scantreiber
Verweilzeit: 10 ns/Pixel; Maximale Aufnahmegeschwindigkeit: 2×100M Pixel/s
Elektronenfiltersystem
Die SE/BSE-Signale können frei umgeschaltet werden, und das Mischungsverhältnis der Signale ist einstellbar.
Vollständig elektrostatisches Hochgeschwindigkeits-Ablenksystem
Es ermöglicht einen hochauflösenden Großfeldmodus. Bei einer Pixelgröße von 4 nm erreicht das maximale Sichtfeld 32 μm × 32 μm.
Probenstufen-Verzögerungstechnologie
Es reduziert die Landespannung der einfallenden Elektronen und verbessert gleichzeitig die Sammelleistung der recycelten Elektronen.
Immersions-Elektromagnetisches Verbundobjektiv
Das Magnetfeld der Objektivlinse umschließt die Probe und erzielt so geringe Aberrationen und eine hohe Auflösung.

Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000

Produktbeschreibung

HEM6000 High-Speed Scanning Electron Microscope

Das Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop (REM) HEM6000 revolutioniert die industrielle und wissenschaftliche Bildgebung durch die Kombination ultraschneller Aufnahmegeschwindigkeiten mit Nanometerauflösung. Es ermöglicht die großflächige Analyse von Proben über verschiedene Maßstäbe hinweg für Anwendungen von der Halbleiterfertigung bis zur Materialwissenschaft. Entwickelt für Effizienz und Präzision, übertrifft es herkömmliche Feldemissions-REMs mit einer fünffach höheren Aufnahmegeschwindigkeit und ist damit das optimale Werkzeug für Hochdurchsatzforschung und Qualitätskontrolle.

Technologische Kernvorteile

Der HEM6000 integriert sechs bahnbrechende Technologien, um eine unübertroffene Leistung zu erzielen:

  1. Hochgeschwindigkeits-Scantreiber: Erreicht eine Verweilzeit von 10 ns/Pixel und eine Aufnahmegeschwindigkeit von 2×100M Pixel/s, wodurch die Bildgebung dynamischer Proben im Millisekundenbereich ermöglicht wird.

  2. Elektronenfiltersystem: Ermöglicht freies Umschalten zwischen Sekundärelektronen- (SE) und Rückstreuelektronen- (BSE) Signalen mit einstellbaren Mischungsverhältnissen für einen verbesserten Kontrast in komplexen Materialien.

  3. Vollelektrostatisches Hochgeschwindigkeits-Ablenksystem: Ermöglicht hochauflösende Großfeld-Bildgebung (4 nm Pixelgröße, 32 μm×32 μm maximales Sichtfeld) mit minimaler Verzerrung.

  4. Probenstufen-Verzögerungstechnologie: Verringert die Landespannung der einfallenden Elektronen und erhöht gleichzeitig die Effizienz der Sammlung recycelter Elektronen, was für hochauflösende Bildgebung bei niedrigen Spannungen entscheidend ist.

  5. Immersions-Elektromagnetisches Verbundobjektiv: Nutzt Magnetfeldimmersion zur Minimierung von Aberrationen und erreicht eine Auflösung von 1,3 nm bei 3 kV (SE) und 2,2 nm bei 1 kV (SE).

  6. Hochleistungs-Elektronenkanone mit hohem StromGewährleistet eine stabile Elektronenemission für konsistente Bildgebung bei unterschiedlichen Probentypen.

    Industrial SEM for Semiconductor Inspection

Wichtigste Leistungsmerkmale

  • Bildgebungsgeschwindigkeit: 10 ns/Pixel Verweilzeit; 2×100M Pixel/s maximale Aufnahmerate (5x schneller als herkömmliche SEMs).

  • Beschleunigungsspannung: 100V–6kV (Verzögerungsmodus) für hochauflösende Niederspannungsaufnahmen; 6kV–30kV (Nicht-Verzögerungsmodus) für Tiefenpenetration.

  • Auflösung: 1,3 nm bei 3 kV (SE), 2,2 nm bei 1 kV (SE); 1,9 nm bei 3 kV (BSE), 3,3 nm bei 1 kV (BSE).

  • Sichtfeld: Max. 1×1 mm²; hochauflösendes Mikroverzerrungsfeld 32×32 μm².

  • Probenphase: Motorbetriebener 3-Achsen-Tisch (X/Y: 110 mm Verfahrweg, Z: 28 mm); Wiederholgenauigkeit ±0,6 μm (X)/±0,3 μm (Y).

  • Vakuumsystem: Vollautomatisches ölfreies Vakuum für kontaminationsfreien Betrieb.

  • Low-Voltage High-Resolution SEM

Intelligente Automatisierung und Anwendungen

Der HEM6000 verfügt über einenHochgeschwindigkeits-Automatisierungsworkflowmit vollautomatischem Einlegen/Entnehmen von Proben (Zykluszeit <15 min), Autofokus, automatischer Helligkeits-/Kontrastanpassung und automatischem Zusammenfügen.großflächige geringe VerzerrungDas Design folgt den dynamischen Abtastfeldachsen, um Kantenunschärfe zu minimieren, währendNiederspannungs-HochauflösungDie Fähigkeit (durch Verzögerung der Probenbühne) schont empfindliche Proben.

Die Anwendungsbereiche umfassen:

  • Halbleiterindustrie: Wafer-Defektanalyse, Verpackungsprüfung.

  • LebenswissenschaftenZell-/Gewebemorphologiestudien.

  • Materialwissenschaft: Charakterisierung von Nanostrukturen, Analyse von Verbundwerkstoffen.

  • Geologische Wissenschaft: Mineralzusammensetzung und Bruchanalyse.

  • HEM6000 High-Speed Scanning Electron Microscope

Software & Erweiterbarkeit

Das System läuft unter Windows mit Unterstützung für Chinesisch und Englisch und bietet optische/gestenbasierte Navigation, KI-Rauschunterdrückung (optional), 3D-Rekonstruktion und Big-Data-Analyse. Standardmäßig sind SE/BSE-Detektoren im Objektiv integriert; optionale Erweiterungen umfassen Plasmareinigung, 6-Zoll-Probenhalter und aktive Schwingungsdämpfung.

Industrial SEM for Semiconductor Inspection

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  1. Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000

  2. Rasterelektronenmikroskopie mit Nanometerauflösung

  3. Automatisiertes SEM-Bildgebungssystem

  4. Rasterelektronenmikroskopie (REM) mit großem räumlichen Abstand

  5. Niederspannungs-Hochauflösungs-REM

  6. SEM mit 5-fach höherer Bildgebungsgeschwindigkeit

  7. Industrielles Rasterelektronenmikroskop zur Halbleiterinspektion

  8. Wissenschaftliches Rasterelektronenmikroskop für die Materialwissenschaft

  9. Automatisierte Probenbeladung SEM

  10. Hochbrillantes Elektronenkanonen-Rasterelektronenmikroskop


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