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DB550 Ga+ Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop
Das DB550 integriert eine Ga+-FIB-Säule (Focused Ion Beam) mit einem Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) und verfügt über eine „Super Tunnel“-Elektronenoptik (aberrationsarme, magnetfeldfreie Linse), eine Ionenauflösung von 3 nm bei 30 kV und eine Rasterelektronenmikroskop-Auflösung von 0,9 nm bei 15 kV. Es beinhaltet einen Nanomanipulator (≤10 nm Präzision), ein Gaseinspritzsystem (Einzelgaseinspritzung, Temperaturregelung ±0,1 °C) und eine 8-Zoll-kompatible Schleuse. Ideal für die Nanofabrikation, die Halbleiterfehleranalyse und die Materialcharakterisierung mit automatisierten Arbeitsabläufen und erweiterbaren Detektoren (EDS/EBSD/STEM).
DB550 Ga+ Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop Integrierte FIB-SEM-Workstation Supertunnel-ElektronenoptikSend Email Einzelheiten -
Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000
Hochgeschwindigkeits-Scantreiber Verweilzeit: 10 ns/Pixel; Maximale Aufnahmegeschwindigkeit: 2×100M Pixel/s Elektronenfiltersystem Die SE/BSE-Signale können frei umgeschaltet werden, und das Mischungsverhältnis der Signale ist einstellbar. Vollständig elektrostatisches Hochgeschwindigkeits-Ablenksystem Es ermöglicht einen hochauflösenden Großfeldmodus. Bei einer Pixelgröße von 4 nm erreicht das maximale Sichtfeld 32 μm × 32 μm. Probenstufen-Verzögerungstechnologie Es reduziert die Landespannung der einfallenden Elektronen und verbessert gleichzeitig die Sammelleistung der recycelten Elektronen. Immersions-Elektromagnetisches Verbundobjektiv Das Magnetfeld der Objektivlinse umschließt die Probe und erzielt so geringe Aberrationen und eine hohe Auflösung.
Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000 Industrielles Rasterelektronenmikroskop zur Halbleiterinspektion Niederspannungs-Hochauflösungs-REMSend Email Einzelheiten
