DB550 Ga+ Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop

Technologische Kernvorteile

Die Überlegenheit des DB550 beruht auf fünf zentralen Innovationen:

1. Super-Tunnel-Elektronenoptik: Verfügt über eine Strahlverzögerung innerhalb der Säule, um räumliche Ladungseffekte zu reduzieren und so hochauflösende Bildgebung mit minimalen Aberrationen bei niedriger Spannung (20 V–30 kV) zu ermöglichen.

   
   

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3. Kreuzungsfreier Pfad: Eliminiert Strahlüberschneidungen, um die Auflösung zu verbessern und Linsenverzerrungen zu reduzieren, was für die Analyse von Subnanometer-Strukturen entscheidend ist.

   
   

4. Elektromagnetische und elektrostatische Verbundobjektivlinse: Unterstützt Niederspannungs-Bildgebung (1 kV) mit einer Auflösung von 1,6 nm und ermöglicht gleichzeitig die Beobachtung magnetischer Proben – was mit herkömmlichen Rasterelektronenmikroskopen nicht möglich ist.

   
   

5. Wassergekühlte KonstanttemperaturlinseGewährleistet Stabilität und Wiederholbarkeit bei Langzeitexperimenten durch automatische Aperturumschaltung für schnelle Modusübergänge.

   
   

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7. Variables Mehrloch-Blendensystem: Nutzt elektromagnetische Ablenkung für nahtloses Umschalten zwischen verschiedenen Bildgebungsmodi (z. B. Sekundärelektronen, rückgestreute Elektronen) ohne mechanische Justierung.

   
   

Hauptkomponenten & Leistung

Fokussierte Ionenstrahlsäule (FIB):-Auflösung: 3nm@30kV (Ga+ Ionenstrahl), mit Sondenströmen von 1pA bis 65nA für feines Fräsen oder den Abtrag von Massenmaterial.

• Stabilität: 72 Stunden ununterbrochener Betrieb, Ionenquellenwechselintervall ≥1000 Stunden und Beschleunigungsspannungsbereich von 0,5 kV bis 30 kV.

  
  

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Nanomanipulator:

• Kammermontiertes, dreiachsiges, rein piezoelektrisch angetriebenes System mit einer Bewegungsgenauigkeit von ≤10 nm und einer maximalen Geschwindigkeit von 2 mm/s. Ideal für die präzise Probenpositionierung und In-situ-Manipulation.

  
  

Gaseinspritzsystem (GIS):

• Einzelnes GIS-Design mit mehreren Vorläufergasen (z. B. Platin, Wolfram für die Abscheidung), Abstand ≥ 35 mm und Bewegungsgenauigkeit ≤ 10 μm. Die Heizungsregelung (Raumtemperatur bis 90 °C) mit einer Präzision von ± 0,1 °C gewährleistet konsistente chemische Reaktionen.

  
  

Anwendungsbereiche in verschiedenen Branchen

Halbleiter:

• IC-Chip-Fehleranalyse mittels Querschnittsfräsen, TEM-Probenpräparation (Lamellenverdünnung) und Schaltungsbearbeitung. Entscheidend für die Fehlersuche in fortschrittlichen Strukturgrößen (z. B. 7 nm/5 nm).

  
  

Neue Energie:

• Charakterisierung von Lithium-Ionen-Batteriematerialien: Morphologische Beobachtung, Partikelgrößenanalyse und Fehlerdiagnostik (z. B. Dendritenwachstum) mittels BSE/EDX/SIMS.

  
  

Keramische Werkstoffe:

• Hochpräzise Mikro-Nano-Bearbeitung (z. B. Grabenätzen) gepaart mit 3D-Bildgebung mittels BSE/EDX/EBSD/SIMS, Untersuchung von Korngrenzen und Phasenverteilungen (Maßstab: 2–5 μm).

  
  

Legierungswerkstoffe:

• Analyse verstärkter Phasen (z. B. Metallmatrix-Verbundwerkstoffe) mittels FIB-präparierter TEM-Proben für Transmissions-Kikuchi-Beugung (TKD) und mechanische In-situ-Prüfung.

  
  

Technische Spezifikationen

Elektronenoptik:

• Pistole: Hochbrillante Schottky-Feldemissions-Elektronenkanone.

  
  

• Auflösung: 0,9 nm bei 15 kV (hoher Kontrast), 1,6 nm bei 1,0 kV (hohe Auflösung).

  
  

• Beschleunigungsspannung: 20V–30kV (variabel).

  
  

Ionenstrahlsystem:

• Quelle: Ga+ Flüssigmetallionenquelle.

  
  

• Auflösung:nm@30kV; Beschleunigungsspannung 500V–30kV.

  
  

Probenkammer:

• LeerVollautomatisches, ölfreies System.

  
  

• Bühne: Motorisierter 5-Achsen-euzentrischer Tisch (X/Y=110mm, Z=65mm; Neigung -10°–+70°, Drehung 360°).

  
  

• Kameras: 3x (1x optische Navigation + 2x Überwachung).

  
  

Detektoren & Optionen:

• Standard: In-Lens-Elektronendetektor, Everhart-Thornley-Detektor (ETD).

  
  

• Optional: BSD, STEM, EDS, EBSD, Nanomanipulator, Plasmareiniger, 8-Zoll-Schleusenanlage.

  
  

Benutzeroberfläche:

• Windows-Betriebssystem mit optischer/Gestensteuerung; Autookus-/Stigmatorfunktionen.

  
  

Wettbewerbsvorteil

Im Vergleich zu herkömmlichen FIB-SEMs bietet das DB550 Folgendes:

• Höherer Durchsatz: Automatisierte Arbeitsabläufe (Probenladen, Ausrichtung) reduzieren die Einrichtungszeit um 40%.

  
  

• Erhöhte Flexibilität: Erweiterbare Detektorsuite unterstützt multimodale Analysen (z. B. EDS für die Elementkartierung + EBSD für die Kristallographie).

  
  

• Zuverlässigkeit in IndustriequalitätWassergekühlte Linse und ölfreies Vakuum gewährleisten den 24/7-Betrieb in Reinräumen.

  
  

SEO-Keywords

1. DB550 Ga + Fokussiertes Ionenstrahl-REM

   
   

2. Integrierte FIB-SEM-Workstation

   
   

3. Supertunnel-Elektronenoptik

   
   

4. Nanofabrikation SEM

   
   

5. Werkzeug zur Halbleiterfehleranalyse

   
   

6. Niederspannungs-Hochauflösungs-REM

   
   

7. Gaseinspritzsystem GIS

   
   

8. Nanomanipulator-Präzisionswerkzeug

   
   

9. Materialcharakterisierung FIB-SEM

   
   

10. 8-Zoll-kompatibles Probenverriegelungsschloss