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DB550 Ga+ Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop
Das DB550 integriert eine Ga+-FIB-S?ule (Focused Ion Beam) mit einem Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop (FE-REM) und verfügt über eine ?Super Tunnel“-Elektronenoptik (aberrationsarme, magnetfeldfreie Linse), eine Ionenaufl?sung von 3 nm bei 30 kV und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufl?sung von 0,9 nm bei 15 kV. Es beinhaltet einen Nanomanipulator (≤10 nm Pr?zision), ein Gaseinspritzsystem (Einzelgaseinspritzung, Temperaturregelung ±0,1 °C) und eine 8-Zoll-kompatible Schleuse. Ideal für die Nanofabrikation, die Halbleiterfehleranalyse und die Materialcharakterisierung mit automatisierten Arbeitsabl?ufen und erweiterbaren Detektoren (EDS/EBSD/STEM).
DB550 Ga+ Fokussiertes Ionenstrahl-Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop Integrierte FIB-SEM-Workstation Supertunnel-ElektronenoptikSend Email Einzelheiten -
Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000
Hochgeschwindigkeits-Scantreiber Verweilzeit: 10 ns/Pixel; Maximale Aufnahmegeschwindigkeit: 2×100M Pixel/s Elektronenfiltersystem Die SE/BSE-Signale k?nnen frei umgeschaltet werden, und das Mischungsverh?ltnis der Signale ist einstellbar. Vollst?ndig elektrostatisches Hochgeschwindigkeits-Ablenksystem Es erm?glicht einen hochaufl?senden Gro?feldmodus. Bei einer Pixelgr??e von 4 nm erreicht das maximale Sichtfeld 32 μm × 32 μm. Probenstufen-Verz?gerungstechnologie Es reduziert die Landespannung der einfallenden Elektronen und verbessert gleichzeitig die Sammelleistung der recycelten Elektronen. Immersions-Elektromagnetisches Verbundobjektiv Das Magnetfeld der Objektivlinse umschlie?t die Probe und erzielt so geringe Aberrationen und eine hohe Aufl?sung.
Hochgeschwindigkeits-Rasterelektronenmikroskop HEM6000 Industrielles Rasterelektronenmikroskop zur Halbleiterinspektion Niederspannungs-Hochaufl?sungs-REMSend Email Einzelheiten
